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UV LED概述

文章出处:未知责任编辑:亚博App人气:发表时间:2020-08-14 09:33
紫外线LED通常是指发光中心波长低于400nm的LED,但当发光波长大于380nm时有时称为近紫外线LED,而短于300nm时则称为深紫外线LED。 由于短波光具有很高的杀菌作用,紫外线LED通常用于冰箱和家用电器的杀菌和除臭[1]。
就产品而言,日亚化学工业推出了发射中心波长在365nm至385nm范围内的品种,而Nitride Semiconductor推出了发射中心波长在355nm至375nm之间的品种。
波长小于300nm的深紫外LED的开发活动也很活跃。 2008年,物理化学研究所和松下电工株式会社宣布,使用GaN半导体的InAlGaN已开发出深紫外LED,其中心波长为282nm,光输出为10mW。 就较短波长的深紫外LED而言,NTT物理科学技术学院使用AlN材料开发了一种中心发射波长为210nm的深紫外LED。
紫外线LED(UVLED)主要用于生物医学,防伪识别,净化(水,空气等),计算机数据存储和军事领域。 随着技术的发展,新的应用将继续取代原来的技术和产品。 UV LED具有广阔的市场应用前景。 例如,UV LED光疗是未来非常流行的医疗设备,但当前的技术仍处于增长期。
国产UV LED的发展状况
国家“十一五” 863计划“半导体照明项目”,新材料技术领域的重大项目,“深层UV LED的制备及应用技术研究” 已经进行了持续的研究,并且属于高铝领域。在材料研究和设备应用方面取得了重大突破。
半导体深紫外光源在照明,消毒,医疗,印刷,生化测试,高密度信息存储和机密通信中具有巨大的应用价值。 以AlGaN材料为有源区的深紫外LED的发光波长可以覆盖210-365nm的紫外波段,是实现该波段深紫外LED器件产品的理想材料,具有其他优点。 传统的紫外线光源无法比拟。
在国家863计划的支撑下,研究团队专注于基于MOCVD的深紫外LED材料和器件的研究,着重于解决表面裂纹,晶体质量差,铝成分低以及无法实现短路的问题。 波长光发射。 在结构材料设计等问题上,一些关键技术取得了突破,获得了晶体质量高,无裂纹的高铝成分材料。 在此基础上,受试者在中国首次成功地在中国制备了300nm以下的深紫外LED装置,达到了装置的毫瓦级功率输出,并开发了深紫外杀菌模块。 灭菌率达到95?

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